Le PROM hanno l'inconveniente di essere programmabili una sola volta, nelle EPROM, invece, la stessa memoria può essere riprogrammata più volte, previa cancellazione del contenuto precedentemente memorizzato :sisi:
Come si può ottenere questo tipo di funzionamento ?
E' molto semplice: si utilizza un particolare MOSFET, denominato FAMOS, "a Gate fluttuante", ossia con l'elettrodo del Gate immerso nell'isolante di biossido di Silicio (SiO2).
Senza alcuna polarizzazione il transistor si trova in interdizione.
Se si "forza" il Gate a caricarsi positivamente, si forma un canale n che fa passare il MOS in conduzione.
Essendo il Gate isolato, le cariche rimangono "imprigionate" per periodi molto lunghi.
Per quanto riguarda la cancellazione della memoria, si sottopone la EPROM a radiazioni ultraviolette; tali radiazioni aumentano l'energia delle cariche, le quali sono in grado di superare la barriera isolante, annullando la polarizzazione sul Gate.
La programmazione della memoria avviene mediante l'utilizzo di un apposito "programmatore", dotato di relativo programma di gestione.
Nell'immagine su riportata vedete una EPROM MM2716.
Le EEPROM (PROM cancellabili elettricamente) usano la stessa tecnologia FAMOS delle EPROM a Gate fluttuante ma lo spessore isolante di SiO2 è ridotto; con tale struttura è possibile la lettura/scrittura elettrica del Gate, in quanto l'ossido viene perforato dagli elettroni che provengono dal Drain verso il Source.
A presto ;)
P.S.
http://www.comefunziona.net/arg/rom/5/ :sisi:
