Puoi utilizzare anche la seguente configurazione ad emettitore comune con polarizzazione della base a partitore R1-R2 e resistore Re di feedback sull'emettitore per la stabilizzazione della deriva termica, funzionante a singola alimentazione:
Sappiamo che la tensione sulla base Vb dipende dai resistori R1 e R2 del partitore di tensione.
Dalla formula del partitore di tensione ci ricaviamo quindi Vb=Vcc*R2/(R1+R2).
Sapendo che Vbe è di circa 0.6-0.7V per i BJT al silicio, posso ricavarmi la tensione sull'emettitore Ve=Vb-Vbe=Vb-0.7.
Con la legge di Ohm mi calcolo la corrente sull'emettitore: Ie=Ve/Re.
Dalla teoria sui transistor sappiamo che Ic è praticamente uguale a Ie per cui la corrente che attraversa il LED è costante e pari a: Ic=Ie=Ve/Re=(Vb-Vbe)/Re.
A presto :ciaociao:
P.S. Devi tenere conto della dissipazione di potenza sulla resistenza d'emettitore: Pre=(Ic)^2*Re. Teoricamente la Re dovrebbe essere abbastanza piccola.
Il problema è che i transistor sono componenti sensibili alla temperatura, dobbiamo tenere conto dei fenomeni di "fuga" termica e delle dispersioni delle caratteristiche. La corrente Ic aumenta all'aumentare della temperatura, la Re attua una retroazione negativa ma la compensazione è insufficiente.
Poi devi considerare anche la potenza dissipata dal BJT: Vce=Vcc-Vf(led)-Ve, da cui Pbjt=Vce*Ic.
Ricorda, infine, che la corrente di base deve essere da 10 a 100 volte più piccola della corrente che fluisce attraverso il partitore di tensione: Ir1r2=Vcc/(R1+R2), per cui la condizione sarà Ibmin<Ir1r2/100 (oppure 1/10 di Ir1r2) :ciaociao:
