Disabilitando la Dynamic Write Acceleration (si chiama così e NON è presente su tutti i modelli di SSD Crucial), (più correttamente)..
avere maggiore spazio libero e quindi utilizzabile dal Garbage Collection. Spazio libero per memorizzare i dati non GB in più dell'SSD.
E' vero che
abilitare la cache evita che venga usata per il Garbage Collection. Ma questo non ha alcun peso sulla WA.
Innanzitutto la Write Amplification è una conseguenza e non un processo (che si chiama Garbage Collection
https://it.wikipedia.org/wiki/Garbage_collection ):
Si ha WA quando la quantità di dati scritti dall'host SSD e la quantità di dati scritti nelle NAND interne alla SSD, è maggiore.
Es. Immagina l'SSD come un foglio a quadretti. Ogni quadretto un blocco. Ogni file occupa da 1 a n. blocchi a seconda della grandezza. Immagina di dire al OS di copiare un file da 5GB su SSD (host SSD = 5GB). L'ssd usa il TRIM per memorizzare velocemente sui blocchi liberi ma anche per spostare secondo alcuni algoritmi i valori dei blocchi su celle magari contigue o meno usate (GC). Quindi 1° spostamento è la memorizzazione, 2° spostamento è Garbage Collection. Spostare su SSD vuol dire SCRIVERE, quindi essendoci spostamenti anche dopo la prima memorizzazione, si otterrà più o meno marcatamente (Nand write = 9GB).
4 è la differenza di scrittura tra quanto richiesto dal OS e quanto effettivamente avvenuto. 1,8 è nell'esempio la WA.
Ritornando al punto del perchè penso che la Dynamic Write Acceleration tiene bassa la WA - ho però visto il caso della Turbo Write dai Samsung e non saprei se vale al 100% anche con il dispositivo Crucial/Micron, e anzi ho davanti un testo Micron che dice l'opposto - ti faccio un esempio, quello di prima mettendoci la DWA:
Copio sempre un file da 5GB (host SSD = 5GB). La prima memorizzazione su celle emulate SLC occupa quasi la metà delle celle MLC* (mettiamo 3GB); la seconda memorizzazione in fase di idle da SLC a MLC occuperà 5GB ma in contemporanea alla seconda memorizzazione (se tutto funziona a dovere) il GC ha già predisposto le celle ad accogliere i dati nel migliore dei modi. in questo caso Nand write = 8GB e la WA è più bassa.
* la cella MLC contiene 2bit e se usata SLC ne viene riempita a metà. Metà riempimento...metà tempo di scrittura ;)
