YMTC: chi è e perché è così discussa?

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A seguito della discussione "Consiglio SSD M2" ho deciso di creare questo thread per fare chiarezza sul brand in questione poiché molto discusso negli ultimi tempi.

Ci tengo a precisare che non sono un ingegnere in questo settore ma soltanto un appassionato e in quanto tale le mie competenze non sono al livello di chi ha studiato il campo per anni, quindi per qualsiasi errore sono disponibile a discuterne nei commenti con eventuali correzioni.

CHI È YMTC


Yangtze Memory Technology Co. (YMTC) è uno dei principali produttori di NAND Flash assieme a Micron, Samsung, SK hynix, Intel/Solidigm (ora parte di Hynix) e Kioxia. Essa nasce nel 2014 a seguito dell’annuncio della Cina di voler intraprendere un percorso R&D (research and development) nel settore delle memorie non volatili, specialmente in quello delle NAND Flash, ad oggi la seconda categoria di IC (integrated circuits) più grande.
Dopo il 2014 arriva il 2016, con la fondazione ufficiale sotto tale nome; nel frattempo, l'azienda stessa introduce le sue NAND 32L* MLC (multi-level cell - 2 bit per cella). Dopodiché c’è il 2018, con le NAND 64L TLC (triple-level cell), il 2021 con le 128L TLC e novembre 2022 con le 232L TLC.

Da questa evoluzione ci si può chiedere come ha fatto YMTC ad entrare in un mercato così difficile (perché già nel 2016 ci fu la corsa verso l'impilaggio con più layer possibili) ed essere stato il primo produttore a mettere sul mercato le NAND più alte esistenti, quelle da 232L. Il segreto sta nella sua tecnologia “Xtacking” che andremo ad esaminare.

*: con “L” si intendono i layer, ovvero il numero di word line (WL) o l’”altezza” di una NAND Flash. L’aumento dei layer è un’azione che si fa da anni per la diminuzione dei prezzi e per la maggior densità di bit in quanto sono presenti più celle in un array. Ora siamo alle 232L, e i produttori non sembrano voler fermarsi: Samsung prevede di toccare i 1000 layer entro il 2030 (questo intendo con “corsa verso la produzione di NAND con più layer possibili”). Come ancora non si sa, ma questo è un altro discorso.

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Fonte: Semiconductor Engineering

Come si può ben vedere, le nostre WL si trovano nel mezzo della NAND Flash. Una NAND Flash con, per esempio, 232 layer conterrà 232 WL usate per la memorizzazione di dati.

Xtacking

Come già accennato, Xtacking è il fonte di tutta la fama di YMTC. Essa indica la tecnologia per la produzione delle 3D NAND Flash. È stata introdotta nel 2018 con il debutto delle 64L. Prima di questo modello - le 32L MLC - YMTC non usava Xtacking ma un’architettura Terabit Cell Array Transistor (TCAT) basata su charge trap flash (CTF), la stessa che attualmente Samsung e Micron usufruiscono.

La principale caratteristica di Xtacking è il diverso processo di produzione rispetto agli altri produttori: anziché lavorare l’intera NAND Flash su un singolo wafer se ne sfruttano due separati e vengono collegati insieme tramite la tecnica wafer-to-wafer bonding. Sul primo wafer vengono prodotti gli array delle NAND Flash (che usano CTF) mentre sul secondo tutta la circuiteria restante: pompe di carica, page buffer, decodificatori delle righe, ecc. Questo insieme di circuiti si chiama “CMOS”. La connessione wafer-to-wafer bonding richiede maggiori procedimenti e maggiori costi rispetto ai metodi di produzione usati da tutti gli altri produttori, non a caso fino a qualche anno fa si dava per spacciata YMTC. Alla fine non è fallita, però TechInsights afferma che non avrà lo stesso passo avuto finora.

Possiamo suddividere Xtacking in tre principali generazioni con ognuna il corrispettivo modello di NAND Flash:
  1. Xtacking 1.0: introduce la tecnologia wafer-to-wafer bonding che verrà usata per le successive generazioni - 64L TLC;
  2. Xtacking 2.0: viene usato il siliciuro di nichel (NiSi) anziché quello di tungsteno (WSi) per migliorare le performance I/O - 128L TLC/QLC;
  3. Xtacking 3.0: introduce la tecnica back side source connect (BSSC) abbassando i costi di produzione - 232L TLC.
Questa è un’ottima cross section fatta tramite un microscopio SEM (microscopio elettronico a scansione):

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Fonte: TechInsights

Senza complicarci di troppo la vita, quest'immagine ci riassume i cambiamenti che YMTC ha eseguito da Xtacking 1.0 a Xtacking 3.0. "Double deck" intende dire che le 232 WL sono state suddivise in due insiemi ciascuno avente 116 WL. Questa tecnica è indispensabile per poter impilare più WL possibili.

Questi cambiamenti architetturali hanno portato a diversi vantaggi prestazionali, come un aumento dei piani (1 nelle 64L, 2 nelle 128L e 6 nelle 232L), un aumento della velocità per die (le 64L erano da 42 MB/s, le 128L da 70 MB/s e le 232L da presumibilmente più di 150 MB/s) e una diminuzione della tempistica di lettura e programmazione delle celle (rispettivamente tR e tPROG). Va notato anche un aumento della capacità delle memorie avendo drive con capacità sempre più grandi.

WAFER-TO-WAFER BONDING

Non è la prima volta che si sente questo termine; infatti, secondo Wikipedia, questa tecnologia viene usata anche nei sistemi nanoelettromeccanici e microelettromeccanici.

Wafer-to-wafer bonding è un tipo di hybrid bonding, ovvero una tecnica per la creazione di legami chimici tra due substrati.

Esistono due tipi di hybrid bonding: quella wafer-to-wafer - utilizzata per le NAND Flash e la DRAM - e quella die-to-wafer che è utilizzata principalmente per la HBM (High Bandwidth Memory) DRAM. Parlando della wafer-to-wafer, ci sono più metodi per l’installazione dell’interconnessione tra i due wafer, noi andremo a vedere la cosidetta fusion bonding.

Prendendo come esempio una YMTC 64L, vengono usati due wafer da entrambi 300 mm e, dal momento che uno è dedicato ai transistor CMOS e un altro ai transistor della NAND Flash, il primo può operare a temperature più alte senza indurre stress alle celle di memoria. Per la produzione in sé, sono tre i principali step per la corretta implementazione di questa tecnica: processamento del wafer, pre-bonding e la ricottura. È possibile individuare le ragioni per le quali questa tecnologia è costosa e difficile soltanto per i prerequisiti: è necessario avere un wafer che abbia una superficie liscia, piana e pulita e un lavoro fatto alla perfezione, con un'estrema precisione. In caso ci fossero degli errori durante il processamento si avrebbe un dispositivo con malfunzionamenti elettrici causati da delle “bolle” per superficie non connesse.

Soddisfatte queste condizioni, il primo procedimento è la deposizione di legami metallici con la pulizia da ruvidità dei wafer; poi, per facilitare i legami chimici diretti, viene attivata la superficie plasma tramite un gas azoto. Adesso che abbiamo i due wafer pronti possiamo allinearli con precisione in modo tale che si crei una connessione tra di loro e un anche un legame chimico. Come quarto procedimento eseguiamo il processo di ricottura (trattamento termico che altera alcune proprietà chimiche e fisiche dei metalli) per far sì che venga generato un legame di rame, dopodiché le parti di rame si fondono l'uno con l'altro et voilà, i nostri wafer sono pronti per l'uso!
Facile, no? - ovviamente tutta la chimica e la fisica che sta dietro a questa tecnologia non è riassumibile nelle poche righe da me scritte, però per capire a grandi linee il concetto penso che possa andare bene. 🙂

RISULTATI

Xtacking 1.0


1703094108222.png
Fonte: "Wafer to wafer bonding to increase memory density"
Qui sopra abbiamo una comparazione tra una NAND YMTC 64L (Xtacking 1.0), una Micron 64L e una NAND 64L che anziché mettere la circuiteria sotto all'array la mette a fianco, nonostante sia un design obsoleto, svantaggioso e in disuso. Si può notare come Xtacking 1.0 porti a dei leggeri vantaggi rispetto ai competitori, tranne nell'efficienza dell'area della NAND, dove c'è una sensibile differenza.

Xtacking 2.0


1703095047569.png Fonte: TechInsights

Questa tabella, invece, riporta una comparazione delle specifiche tecniche tra le NAND 128L di YMTC, Samsung, Micron e SK hynix. Qua già si vede un salto un po' più grande, ma, secondo me, confrontando i dati con quelli di SK hynix (riga "Die Size" e "Memory Density"), il gioco non vale la candela.

Xtacking 3.0


Per ultimo c'è Xtacking 3.0, con le 232L. Purtroppo non abbiamo una bella tabella comparativa come quelle di prima, ma conoscendo le specifiche possiamo le NAND Flash una per una:
1) YMTC: dimensione del die: 68.15 mm²; densità di bit: 15.03 Gb/mm²;
2) Micron: dimensione del die: 70 mm²; densità di bit: 14.6 Gb/mm²;
3) Samsung: dimensione del die: 89 mm²; densità di bit: 11.5 Gb/mm².

Anche qui YMTC si dimostra essere il vincitore, ma a quanto pare non di troppo.
 
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Me lo sono letto piano piano 😉

Non mi trovi - ma ormai si è capito - d'accordo sulle pratiche commerciali innescate dalla Cina e sulla bontà effettiva di queste miracolose celle nate dal nulla, quindi è un bene e mi fà molto piacere discuterne, anche tecnicamente.

La connessione wafer-to-wafer bonding richiede maggiori procedimenti e maggiori costi rispetto ai metodi di produzione usati da tutti gli altri produttori, non a caso fino a qualche anno fa si dava per spacciata YMTC. Alla fine non è fallita
Semplicemente NON PUO' fallire.
La YMTC è stata costituita nel 2016, ma come giustamente hai riportato, la storia inizia a monte.
Nel giugno 2014, il Consiglio di Stato della Repubblica popolare cinese ha proposto, nelle Linee guida nazionali per lo sviluppo dell'industria dei circuiti integrati, la creazione di un fondo di investimento nazionale (Banca) per fornire un sostegno mirato allo sviluppo dell'industria dei circuiti integrati. Tutto questo ha preso politicamente e concretamente il nome di:
MadeInChina 2025
220px-MIC2025_logo.png

L'ICF è quindi la finanziaria statale delle imprese nel settore (YMTC -XMC, JHICC, e Macronix a cui aggiungere UMC di Taiwan).
YMTC (società statale cinese Tsinghua Unigroup, che possiede il 51% della società) ha usufruito di due grandi vantaggi che altre imprese del libero mercato non hanno:
i fondi illimitati e un modello da seguire sul proprio territorio (le "fab" di Micron, Toshiba e Samsung, SK Hynix... si, in pratica tutte hanno stabilimenti in Cina).
Partendo dal primo elemento:
  • luglio 2016, con un investimento totale di 24 miliardi di dollari, compresi gli investimenti del governo provinciale dell'Hubei e del fondo nazionale cinese per gli investimenti nell'industria dei circuiti integrati "Big Fund"
  • settembre 2023 il South China Morning Post ha riferito che YMTC ha intensificato i suoi sforzi a seguito di un'iniezione di capitale di 7 miliardi di dollari da parte di investitori sostenuti dallo Stato
  • sempre settembre 2023, è stato riferito che l'ICF per la sua terza fase stava raccogliendo fondi per circa 40 miliardi di dollari.
La seconda, direi che per la Cina il peggiore "nemico" americano (Micron) che forniva al paese prodotto semilavorato e molto prodotto finito (Nand Flash ) in cambio di materie prime, doveva si, essere arginato con un intervento statale, ma personalmente trovo curioso che l'idea di base dell'Xtacking sia molto simile alla CuA di fine 2017; Xtacking è stata poi annunciata a settembre 2018... 1 anno, in cui coerentemente il prodotto è stato studiato, facendo balenare a qualcuno "quella" fantastica soluzione "Double deck"... PERO':
"È praticamente impossibile costruire un fab (impianto di semiconduttori) all'avanguardia senza acquistare attrezzature da queste aziende americane", ha detto Gwennap, esperto di chip e presidente del Linley Group (citazione del 2018).

Ora si fà gossip... siamo a metà 2018, la YMTC produce delle "normali" celle 3D 32L ed ha appena messo in produzione le sue 64L..
1703243424413.png
ma "lancia" sul mercato le prime Xtacking vincendo il premio innovazione al Flash Memory Summit California (che è l'Oscar delle celle Nand Flash).

A settembre, Micron (causa in California) accusa Fujian Jinhua (JHICC) e UMC di aver rubato i progetti di chip. Inoltre ha accusato le aziende cinesi di assumere dipendenti Micron, di rubarne i segreti commerciali e di trasferirli nel proprio know-out. A loro volta, le società hanno fatto causa a Micron in Cina, dove i tribunali si sono schierati dalla loro parte e hanno vietato alcuni dei chip Micron in Cina.

A ottobre (sempre 2018), l'amministrazione Trump è intervenuta per escludere il produttore cinese di chip sostenuto dallo Stato dai fornitori statunitensi in seguito alle accuse secondo cui l'azienda avrebbe rubato proprietà intellettuale alla società statunitense di semiconduttori Micron Technology Inc. e che le tecnologie prodotte sarebbero poi servite a produrre armi che poi per Cina, Russia, Corea del Nord e Iran, insomma armi che gli americani si sarebbero ritrovati contro.

La Cina ha affermato che la mossa violava le norme dell’Organizzazione mondiale del commercio sul commercio e mirava a proteggere il monopolio statunitense... 😂 (metto la faccina che ride, perchè penso ai MILIARDI di dollari investiti dalla Cina che sono serviti a crearsi non solo il loro monopolio, ma con il senno del poi, l'invasione di mercato occidentale).

2020 i pubblici ministeri statunitensi hanno accettato di ritirare le gravi accuse di spionaggio economico e cospirazione contro l'UMC. L'UMC ha promesso "assistenza sostanziale" agli Stati Uniti per il caso contro Fujian Jinhua per il presunto furto di informazioni proprietarie da parte di Micron. Multata UMC per 60 milioni di dollari dopo che l'azienda taiwanese si è dichiarata colpevole di aver condiviso progetti di Micron e con la società cinese Fujian Jinhua. UMC ha affermato che non era a conoscenza di azioni non autorizzate di alcuni suoi dipendenti, che avevano precedentemente lavorato per Micron.

2023 ...ora siamo al paradosso, che Micron stà utilizzando (probabilmente vero) tecniche brevettate YMTC ed è stata denunciata presso il tribunale dello Stato della California, proprio quello...

(curiosità) Il know-out base della YMTC?
Le cose sono state pianificate molto a monte, dal 2015 con l'acquisizione della fallimentare Spansion (poi Cypress), azienda americana caduta o fatta cadere, ma che aveva in mano il know-out di AMD e della giapponese Fujitsu Ltd (produzione, NOR, Nand, Arms, ecc ecc).

Di più incasinato c'è solo le corporazioni in Cyberpunk 2077! 😂

Senza complicarci di troppo la vita, quest'immagine ci riassume i cambiamenti che YMTC ha eseguito da Xtacking 1.0 a Xtacking 3.0. "Double deck" intende dire che le 232 WL sono state suddivise in due insiemi ciascuno avente 116 WL. Questa tecnica è indispensabile per poter impilare più WL possibili.
Mi sembra che il double sia riferito all'Xtacking in generale nello scritto di TechInsights, per dire appunto che la novità è proprio la produzione di 2 wafer diversi separati CMOS dall'Array e poi "incollati" che non, come si faceva e fà una produzione di un unico wafer con il CMOS in basso e l'Array sopra (CuA).

Si potrebbe, magari è anche interessante, vederlo con degli "schemini", intendo il processo evolutivo delle celle dall'idea del V-Nand o 3D in poi, simulando vantaggi di densità e economia di produzione:

1703251162539.png
1703251190740.png

1703251217203.png




Per ultimo c'è Xtacking 3.0, con le 232L. Purtroppo non abbiamo una bella tabella comparativa come quelle di prima, ma conoscendo le specifiche possiamo le NAND Flash una per una:
1) YMTC: dimensione del die: 68.15 mm²; densità di bit: 15.03 Gb/mm²;
2) Micron: dimensione del die: 70 mm²; densità di bit: 14.6 Gb/mm²;
3) Samsung: dimensione del die: 89 mm²; densità di bit: 11.5 Gb/mm².

Anche qui YMTC si dimostra essere il vincitore, ma a quanto pare non di troppo.
4) SK Hynix (238L): dimensione del die: 35,58 mm²; densità di bit 14,39 Gbit/mm²
 
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Mi rileggerò tutta la parte giuridica più tardi, ma non posso far altro che ringraziarti, Liupen, come sempre.
Mi sembra che il double sia riferito all'Xtacking in generale nello scritto di TechInsights, per dire appunto che la novità è proprio la produzione di 2 wafer diversi separati CMOS dall'Array e poi "incollati" che non, come si faceva e fà una produzione di un unico wafer con il CMOS in basso e l'Array sopra (CuA).
Però nel paper “Wafer to wafer bonding to increase memory density” c’è scritto che WoW veniva già utilizzata per le 64L…
Non mi trovi - ma ormai si è capito - d'accordo sulle pratiche commerciali innescate dalla Cina e sulla bontà effettiva di queste miracolose celle nate dal nulla, quindi è un bene e mi fà molto piacere discuterne, anche tecnicamente.
Sulle pratiche commerciali ci troviamo sulla stessa linea d’onda (neanche a me piacciono i trucchi che usa YMTC), per la qualità oggettiva, invece, lascio parlare i dati. Vedendo le review noto che queste NAND non sono così male, anche se peccano sotto qualche punto di vista (la latenza come mi hai fatto notare tu qualche giorno fa ma anche il fatto che la circuiteria sia di basso livello, altrimenti non utilizzerebbero WoW a questo quantitativo di WL). Il problema è che non abbiamo tutti i dati che si hanno anche per le altre NAND (parlo delle 232L): tPROG, tR e tBERS, ergo è abbastanza difficile fare comparazioni con gli altri produttori che sono molto più aperti.
 

Liupen

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Però nel paper “Wafer to wafer bonding to increase memory density” c’è scritto che WoW veniva già utilizzata per le 64L…
Per le nand YMTC è iniziata con quella da 64L (180 nm sviluppata da XMC) per la gen 1, ed è poi evoluta.
Leggi questo, è interessantissimo dal punto di vista tecnico da "sfondo" alla bibbia-articolo di TechInsights

Mi rileggerò tutta la parte giuridica più tardi,
Ahahaha! Spionaggio industriale portami via!

Sulle pratiche commerciali ci troviamo sulla stessa linea d’onda (neanche a me piacciono i trucchi che usa YMTC), per la qualità oggettiva, invece, lascio parlare i dati. Vedendo le review noto che queste NAND non sono così male, anche se peccano sotto qualche punto di vista (la latenza come mi hai fatto notare tu qualche giorno fa ma anche il fatto che la circuiteria sia di basso livello, altrimenti non utilizzerebbero WoW a questo quantitativo di WL). Il problema è che non abbiamo tutti i dati che si hanno anche per le altre NAND (parlo delle 232L): tPROG, tR e tBERS, ergo è abbastanza difficile fare comparazioni con gli altri produttori che sono molto più aperti.
Ma, anch'io sono stupito e impressionato (positivamente) del lavoro svolto da YMTC; sono stati grandi ed hanno avuto un'idea giusta; però l'idea mi sembra che tiri più verso il risparmio di produzione che non verso le prestazioni o la qualità.

Certo è che se Micron copia, hanno fatto qualcosa di buono veramente.

Si esatto la mancanza di notizie è il punto focale delle mie remore... ma tempo al tempo, potremo valutare.
 

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Leggi questo, è interessantissimo dal punto di vista tecnico da "sfondo" alla bibbia-articolo di TechInsights
Incredibile, mercoledì penso che avrò passato almeno 4-5 ore di ricerca sul processo di produzione e non ho trovato niente se non uno scarno paper, mentre adesso mi linki un articolo che descrive ‘ste NAND fino alla punta dei piedi, haha.
Ma, anch'io sono stupito e impressionato (positivamente) del lavoro svolto da YMTC; sono stati grandi ed hanno avuto un'idea giusta; però l'idea mi sembra che tiri più verso il risparmio di produzione che non verso le prestazioni o la qualità.
Son d’accordo, anche perché come già detto, che senso ha utilizzare WoW su NAND così “basse”? WoW rientrerà in quelle tecniche che andranno utilizzate in futuro perché più si aumentano le WL più diventa difficile costruire NAND efficienti e con zero problemi, quindi capisci che utilizzare questa tecnologia a - per esempio - 232L può significare solo una cosa: la loro circuiteria è abbastanza pessima…
 
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Cosa vedo qui, un NM790 sopra al 990 PRO, ovvero un DRAM-less con controller MaxioTech e NAND YMTC sopra a uno dei migliori PCIe 4.0... abbastanza strana come cosa.

Qui son due le cose: o TPU è pagata da Lexar e s'è sentita obbligata di fare questa "tier list" oppure veramente nei loro test l'NM790 è migliore del 990 PRO.
random-mixed.png
sequential-mixed.png
latency-random-write.png
sustained-write.png
Forse è la prima.
 

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Cosa vedo qui, un NM790 sopra al 990 PRO, ovvero un DRAM-less con controller MaxioTech e NAND YMTC sopra a uno dei migliori PCIe 4.0... abbastanza strana come cosa.

Qui son due le cose: o TPU è pagata da Lexar e s'è sentita obbligata di fare questa "tier list" oppure veramente nei loro test l'NM790 è migliore del 990 PRO.
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Forse è la prima.
Oppure puntare su Samsung ultimamente non è più "sicuro" come una volta.

Se dovessi comparare i due modelli a seconda delle caratteristiche che considero più importanti, certamente direi che la caratteristiche principali non sono a favore di Samsung:
Affidabilità? Per quanto possano essere nuove, non testate le celle Xtacking, Samsung mi mette un insicurezza maggiore perchè ha toppato molto ultimamente, persino nel modello di punta.
Costo? Anche quì non c'è storia..
Caratteristiche tecniche da guardare?
Quanto scrive veloce un file da 50 o 200 GB? La cache sostiene entrambe a poco meno di 5000 MB/s
Reattività? Il QD1 T1 in lettura è indistinguibile, quindi un sistema operativo non avrebbe grandi svantaggi, il gap vero è sulla latenza di scrittura propria degli dramless...
 

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Affidabilità? Per quanto possano essere nuove, non testate le celle Xtacking, Samsung mi mette un insicurezza maggiore perchè ha toppato molto ultimamente, persino nel modello di punta.
Ma Samsung non è l'unica ad aver fatto errori di affidabilità, anzi, c'è un'azienda messa peggio di lei IMHO: Phison.

L'E21T presenta(va) problemi riguardo alla perdita di dati sugli M.2 2230 e problemi riguardo l'integrità del segnale[1], l'E26 aveva il bug di throttle/spegnimento[2] e l'E25 si sospetta abbia problemi con la cache SLC perché invece di comportarsi come ibrida al 20% si comporta completamente da dinamica, portando a delle performance piuttosto scadenti in folding (facendosi battere dai DRAM-less); oltretutto sembra avere problemi di performance con la PS5 con gli ultimi aggiornamenti. Capisco che l'E26 sia un PCIe 5.0, capisco che l'E25 sia appena uscito, però Samsung non è l'unica ad aver toppato sotto certi punti di vista... Bisogna anche riconoscere che i suoi errori siano stati risolti con aggiornamenti del firmware (se ricordo bene), come Phison ha fatto per l'E21T.

Per me, comunque, piazzare l'NM790 al di sopra del 990 PRO è un errore, anche perché quest'ultimo è superiore pure lato hardware. Poi ovvio, i prezzi son diversi, ma uno è DRAM-less l'altro no...

[1]: .
[2]: https://www.techpowerup.com/313568/ssds-with-phison-e26-controllers-shut-down-at-higher-temperatures.
 

Liupen

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Ma Samsung non è l'unica ad aver fatto errori di affidabilità, anzi, c'è un'azienda messa peggio di lei IMHO: Phison
Ma a Samsung non si perdona, a Phison... forse... può essere Phison, l'assemblatore, Amazon che non tratta bene i pacchi... 😂
Insomma, hai capito, vedi il "famoso" A400, mica è colpa di Phison, noooo, è Kingston!
Eppure il controller è Phison e il firmware, per quanto lo vuoi personalizzato, te l'ha creato Phison, no?

L'E21T presenta(va) problemi
Questo mi è nuovo. 👍
l'E26 aveva il bug di throttle/spegnimento
Questo a parer mio è stata una leggerezza dell'assemblatore, vuoi Corsair o Crucial.
Il controller fà il suo, il TT deve proteggere il dispositivo.
Piuttosto come fai a mettere sul mercato un ssd pcie 5.0 che scalda come il forno della pizza, senza un dissipatore integrato! 🌋

E25 si sospetta abbia problemi con la cache SLC perché invece di comportarsi come ibrida al 20% si comporta completamente da dinamica, portando a delle performance piuttosto scadenti in folding (facendosi battere dai DRAM-less); oltretutto sembra avere problemi di performance con la PS5 con gli ultimi aggiornamenti.
Non so se in effetti sia un bug.
Forse è voluto.
Se ho realizzato un controller di medie performance (perchè di questo si tratta, visto che l'E18 ha più capacità ma è di vecchia tecnologia, oggi), orientato all'uso laptop (che non ai desktop, come dichiara la stessa Phison nella pagina di presentazione), magari (penso) attuo la filosofia alla Neil Young 😎 che mi permette di scrivere 450 GB a massima velocità fregandomene del dopo.

Per me, comunque, piazzare l'NM790 al di sopra del 990 PRO è un errore
doesn't have a level playing field in the ICT industry.
Forse è la prima.
 

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Insomma, hai capito, vedi il "famoso" A400, mica è colpa di Phison, noooo, è Kingston!
Beh ma l’A400 non era l’unico a soffrire del SATAFIRM S11, ma lo erano tutti gli SSD con Phison S11.
Il controller fà il suo, il TT deve proteggere il dispositivo.
Il problema è che sembra non esserci un TT, ma un diretto spegnimento. Stando a quello che dice TPU (https://www.techpowerup.com/313568/...trollers-shut-down-at-higher-temperatures?amp), solo Corsair e Crucial, per ora, sembrano essersi interessate ad implementare un rallentamento delle performance quando le temperature si alzano, soprattutto perché 90°C non sono giustificabili con uno spegnimento.
magari (penso) attuo la filosofia alla Neil Young 😎 che mi permette di scrivere 450 GB a massima velocità fregandomene del dopo.
Però Crucial sul T500 ha detto di aver implementato una hybrid cache (citando Tom’s: “Crucial has designed the T500 to have a cache equal to about 20% of the user capacity, which varies from 12 to 28 percent depending on the capacity of the SKU”).
doesn't have a level playing field in the ICT industry.
Questa ammetto di non averla capita.
 
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Il problema è che sembra non esserci un TT, ma un diretto spegnimento. Stando a quello che dice TPU (https://www.techpowerup.com/313568/...trollers-shut-down-at-higher-temperatures?amp) solo Corsair e Crucial, per ora, sembrano essersi interessate ad implementare un rallentamento delle performance quando le temperature si alzano, soprattutto perché 90°C non sono giustificabili con uno spegnimento.
Eh, Black, non sono nel loro algoritmo per poterlo dire con sicurezza ma il TT c'è, non posso credere che non sia stato proprio implementato all'inizio.
Secondo me 90°C erano semplicemente troppo in alto per farlo funzionare bene.
Pensa che 90°C di temperatura composita sono un casino di più per la temperatura reale sul controller.
Inoltre l'algoritmo di TT è pensato per fasce di temperatura e azioni da eseguire (almeno quello degli nvme che sono pensati per le prestazioni).

1704281686873.png
Questo è un esempio da cosa pubblica Transcend, ma all'incirca tutti si basano su almeno 2 soglie
1704281761274.png

Secondo me con una soglia così alta impostata, manca il tempo di riduzione della temperatura in funzione del calare del clock.
In pratica se dimezzo il clock, la temperatura continua ad aumentare per un breve periodo e se in quel periodo supero la seconda soglia, avviene lo shutdown del dispositivo.
1704280631926.png

Questo https://www.techpowerup.com/review/sstc-tiger-shark-elite-2-tb/8.html potrebbe essere un E26 con un algoritmo di TT con limite di temperatura abbassata.

La cosa che a me pare strana, dissonante, nella review di Techpowerup è che citando una ventola (una sola ventola...come, quanto grande, rpm, distanza?) l'ssd sia sceso di molto di temperatura.
Sembra un'assurdità, -15°C e oltre (-40°C)? Ma chi sono io per dirlo...

Quello che penso è che si c'è stato un algoritmo di TT tarato male, ma forse solo perchè con un controller PCIe 5.0 le regole termiche dovevano essere riviste, troppa variazione repentina.
Visto cosa scrive l'articolo e visto poi la recensione del T700 e dei tanti ssd con controller E26 povvisti di heatsink, sarebbe semplicemente dovuto uscire un prodotto dalla scatola già con dissipatore per il test di Techpowerup.

Però Crucial sul T500 ha detto di aver implementato una hybrid cache (citando Tom’s: “Crucial has designed the T500 to have a cache equal to about 20% of the user capacity, which varies from 12 to 28 percent depending on the capacity of the SKU”).
Si l'ho letto quel passaggio, o questo:
"The T500 does have I/O+ firmware from Phison with DirectStorage optimization, which is otherwise on Gen 5 SSDs or the Gen 4 Sabrent Rocket 4 Plus-G and Seagate FireCuda 530 SSDs. It shares this functionality with the T700, while the P5 Plus lacks such enhancement".

Sarà stato dichiarato da Crucial da qualche parte e poi non ritrovando quei parametri nel test è stato chiesto il motivo?
Almeno, io l'ho interpretata così..

Sicuramente se un ssd dovesse essere usato per scritture aggressive, “Crucial has designed the T500 to have a cache equal to about 20% of the user capacity, which varies from 12 to 28 percent depending on the capacity of the SKU” non aiuta se non ci fosse a monte un core dedicato al recupero della cache... ed in questo E25 dual core la vedo veramente brutta 😂
 
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Pensa che 90°C di temperatura composita sono un casino di più per la temperatura reale sul controller.
Cavolo, hai ragione. Mi dimentico sempre di questa maledetta composite temperature che ormai viene usata nella maggior parte dei software (anche se TPU dovrebbe utilizzare una pistola FLIR per monitorare l'andazzo della temperatura del controller).
Quello che penso è che si c'è stato un algoritmo di TT tarato male, ma forse solo perchè con un controller PCIe 5.0 le regole termiche dovevano essere riviste, troppa variazione repentina.
Ho anche messo in conto che essendo un controller uscito su una "nuova" interfaccia bisogni aspettare qualche firmware meglio ottimizzato, ma bisognerà vedere. Io non c'ero ai tempi dei PCIe 4.0, quindi non so neanche se ci son stati gli stessi problemi in passato. Spero solo che i futuri acquirenti dell'E26 non siano obbligati a dover comprarlo loro superdissipatori con, addirittura, una ventola...
 
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