Stabilizzatore di tensione BJT NPN a base comune

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LightSoul94

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Questo sarà (credo) il mio ultimo post poi tornerò a scrivere a settembre.
Sto studiando i transistori dato che non me li hanno insegnati a scuola (no non ho studiato in un centro recupero per disoccupati e no nemmeno a cepu :asd: ) che ci vogliamo fare più avanti andiamo più l'Italia muore.

Tornando alla discussione:

1) È possibile ottenere una tensione intera da Vbe?
2) E la corrente Ie? come va calcolata in questo caso?

Abbiamo in questo circuito fatto proprio terra terra una tensione d'ingresso Vcb di 20V e una corrente Ic=2A
Se il diodo zener ha una Vz=6V quanto deve essere grande la resistenza per ottenere 5V spaccati (se possibile)?

Quale valore avremo in Ie?
003456b178a174d5ead51fc3c0595c06838b68bf_3.png
 
Non è una configurazione a base comune, è un emitter-follower (cioè un collettore comune) con il collettore collegato direttamente all'alimentazione +Vcc, senza alcuna resistenza di carico, e resistenza Re sull'emettitore (che tu non hai disegnato) da cui prelevare la tensione d'uscita Vu (che dovrebbe essere, come da te indicato, pari a 5V) :asd:
Nella configurazione a base comune (CB) il generatore di segnale viene inserito tra l'emettitore e la massa, mediante un condensatore di disaccoppiamento, mentre l'uscita viene prelevata tra il collettore e la massa, su un carico Rl, disaccoppiato anche questo dalla continua con un condensatore.
Come sai, la giunzione base-emettitore di un BJT è in pratica come quella di un diodo polarizzato direttamente con una tensione di soglia di 0.6-0.7V per i diodi al Si.
Quando Vbe<0.6V la giunzione è interdetta, se Vbe>0.6 il BJT lavora in zona attiva ma se la stessa Vbe supera un certo limite, la proporzionalità tra Ic e Ib non viene più mantenuta, il BJT potrebbe andare in saturazione :asd:
Quant'è la corrente minima di Zener Iz che garantisce la tensione di Zener Vz (nel tuo caso di 6V) ?
E la massima corrente sul carico Ilmax quant'è ? :look:
Ciao :ciaociao:

P.S. Gli alimentatori [Parte 7] - Regolatori a componenti discreti
https://www.youtube.com/watch?v=zJ7yyBKfhnc
 
Si potrebbe utilizzare, ad esempio, uno Zener 1N5340B con tensione di Zener Vz=6V e corrente di test It=200mA :sisi:
1N5340B | ON Semiconductor 1N5340B, Single Zener Diode, 6V 5% 5 W Through Hole 2-pin DO-15 | ON Semiconductor :sisilui:
La tensione d'uscita vale Vu=Vz-Vbe :sisilui:
Se varia il carico Re, varia la corrente d'emettitore e quindi anche la Vbe (variazione che è di circa 0.1V, ossia da 0.6V a 0.7V per i BJT al Si).
Se invece varia la tensione d'ingresso Vi, la Vz in pratica rimane invariata e quindi Vu può essere ritenuta costante.
Per quanto riguarda il progetto della resistenza di limitazione R1 (come dal tuo disegno), devi tenere presente che in essa scorre la somma tra la corrente di Zener Iz e la corrente di base Ib: R1=(Vi-Vz)/(Iz+Ib) :sisilui:
Le formule di progetto e un esempio completo (esercizio n.2) si trovano nel link che ti ho fornito sopra e che riporto:
Gli alimentatori [Parte 7] - Regolatori a componenti discreti ;)
Da tenere presente che il BJT è l'elemento che dissipa la potenza maggiore, nel funzionamento a carico: Pce=Vce*Ic=(Vi-Vu)*Iu :sisilui:
Per avere un guadagno Hfe maggiore, di solito si utilizzano due BJT in connessione Darlington in sostituzione del singolo transistor :asd:
A presto :ciaociao:
 
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