Cosa viene inteso nel dettaglio per "riscrittura"?
La cella NAND che è la base costitutiva del supporto di memorizzazione allo stato solido è realizzata da un substrato di silicio e una superficie che, col passare di una carica elettrica, raccoglie elettroni. Gli elettroni rimangono al cessare della carica. Un'interfaccia legge come zero o uno l'assenza o presenza di questi elettroni. Le celle NAND MLC hanno 2 strati di carica, quindi 2 letture.
Una cella può essere scritta solo se è libera (priva di elettroni...di valore....di bit), quindi prima di scriverci sopra deve essere cancellata.
Quindi tutto questo per dire che, se arriva un dato da memorizzare, il controller dell'ssd avrà già provveduto a cancellare quelle celle che possono essere liberate. Il processo chiamato in termini specifici "ciclo" è quindi programmazione/cancellazione o all'inglese P/E.
Quanto di vero c'è sul fatto che con molte riscritture gli SSD perdono di performance
Ha richiesto sicuramente qualche anno e non sarà perfetto neppure adesso, ma il codice che gestisce il "garbage collector" permette di spostare i dati su celle libere contigue per compattare quanto più possibile le celle occupate, proprio come una sessione di deframmentazione sugli hdd. Il processo si svolge nella fase idle dell'SSD.
Quindi il calo di prestazioni avviene alla fine del 1° ciclo di scritture quando l'SSD inizia a doversi creare spazio libero iniziando il prodesso di P/E. Un buon GC mantiene l'SSD sempre performante, fintantochè ci sono celle libere che possono essere utilizzate per immagazzinare temporaneamente i dati in attesa di una migliore ricollocazione.
Per lo stesso motivo, si è visto, è importante la funzione di Over Provisioning.
e che sono tarati per un certo numero di riscritture?
Dicendo che la cella NAND "è realizzata da un substrato di silicio e una superficie che, col passare di una carica elettrica, raccoglie elettroni" si intende proprio che la corrente elettrica crea ossidazione nel silicio e libera degli elettroni. E' un processo distruttivo. Ogni P/E la cella di tot nanometri perde X quantità materia o di capacià di emettere elettroni. Fatti due conti e i produtori hanno "generalizzato" che ad esempio una cella TLC perde le proprie capacità dopo 1000 P/E.
Mi fate un esempio della vita media di un'unità a stato solido con un tot di riscritture?
La vita "teorica" di vita di un SSD è in P/E moltiplicato la grandezza dell'SSD. Se vuoi invece un valore temporare più prossimo alla realtà (rotture dei componenti a parte) è quel dato di prima rapportato al numero di scritture fatte al giorno maggiorato di x1,5 o x2.
