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Come sapete le V-Nand create da Samsung hanno subito una evoluzione 3.0
Da 32 strati (litografia 40nm)
.....contate se volete....
a sovrapporre (accidenti a sti sud-coreani, come fanno!) ben 48 strati di Nand.
Se quindi ogni pacchetto Nand prima arrivava a contenere 128GB, ora con una densità doppia, si passa ad averne 256.
Il primo utilizzo di queste nuove celle è per il nuovo SSD in formato M.2, ovvero il 960 PRO.
Ma già Samsung ha annunciato l'ampliarsi della famiglia degli SSD SATA 850 EVO che arriveranno a grandezze fino a 4TB!
La cosa interessante è che si troveranno per un po in commercio Samsung 850 EVO da 1TB con celle V-Nand sia a 32 che a 48 strati.... insomma la condizione ideale per vedere se la versione 3.0 delle celle rimane competitiva
C'è naturalmente chi ha già iniziato con delle analisi preliminari...
Iniziamo da questo schema:
Per le V-Nand 32 strati, la struttura di ogni pacchetto (o chip), è realizzata (octal-die) da 8 gruppi da 64GB ciascuno. Ogni gruppo di celle (Die) ha la possibilità di comunicare con il processore (o controller).
C'è da dire che il controller MEX, per quanto sia a 3 Core (1 in più del controller MGX che si trova sulle versioni da 120-250 e 500GB), ha 8 canali - come la maggior parte dei controller attuali - e non è capace di gestirne in più. Questo vuol dire che l'EVO con V-Nand a 48 strati ha un pacchetto più denso ma sfrutta un pari numero di Die contemporaneamente. E' capace però di meno parallelismo di transito.
Altra caratteristica è che le due versioni di SSD hanno il medesimo overprovisioning di fabbrica.
Visto che ci sono chiarisco anche che rimane la medesima la quantità di celle emulate SLC per la Turbo Write del Rapid Mode, pari a 12GB.
Il confronto mette in evidenza due aspetti:
- come variano le prestazioni dell'SSD con pacchetti Nand più densi
- che effetti produce la densificazione
Il confronto visivo:
4 pacchetti per lato VS 2 pacchetti.. la disposizione del controller cambia lato (ma poco importa.. o si visto che il pcb è in legno...e il legno non dissipa).
Al via dei test.... emerge che nella sequenzialità (lettura e scrittura) i valori sono praticamente identici. Ciò vuol dire che le caratteristiche funzionali (qualità) delle Nand è identica. Ma c'era da aspettarselo.
Il test che può dare delle evidenze è invece quello che misura la latenza (la velocità tra imput di comando e comando eseguito) e il parallelismo (più comandi brevi dati pontemporaneamente a formare una "coda").
Latenza in scrittura
si evidenzia che la nuova 850 EVO (V-Nand 3.0) non è solo più veloce a rispondere alle scritture casuali IO rispetto alla precedente versione, ma batte anche la 850 PRO con un buon margine.
Latenza in lettura
Anche per la lettura IO, seppur in maniera molto minore, la latenza è a favore della nuova versione del 850 EVO specie con comandi brevi (4KB).
Parallelismo
Dimostrano che, pur essendo la latenza minore nel Samsung 850 EVO con V-Nand a 48 strati, all'aumento della coda in scrittura/lettura, le performance dettate dal controller, parificano il risultato.
Consumo energetico e temperatura
Il controller MEX consuma 1/3 di energia in più rispetto al MGX. La contiguità strutturale va a vantaggio del minor consumo delle nuove celle così come, al contrario, causa una maggiore temperatura dei chip.
Il dato però è cosi lieve che potrebbe avere un peso solo se l'SSD fosse messo veramente sotto torchio.
Conclusioni
Beh, niente di eclatante ma... per i pignoli che testano tutto per "vedere come funziona", allora, è chiaro: le nuove celle non tolgono nulla e anzi, aggiungono.
Da 32 strati (litografia 40nm)
.....contate se volete....
a sovrapporre (accidenti a sti sud-coreani, come fanno!) ben 48 strati di Nand.
Se quindi ogni pacchetto Nand prima arrivava a contenere 128GB, ora con una densità doppia, si passa ad averne 256.
Il primo utilizzo di queste nuove celle è per il nuovo SSD in formato M.2, ovvero il 960 PRO.
Ma già Samsung ha annunciato l'ampliarsi della famiglia degli SSD SATA 850 EVO che arriveranno a grandezze fino a 4TB!
La cosa interessante è che si troveranno per un po in commercio Samsung 850 EVO da 1TB con celle V-Nand sia a 32 che a 48 strati.... insomma la condizione ideale per vedere se la versione 3.0 delle celle rimane competitiva
C'è naturalmente chi ha già iniziato con delle analisi preliminari...
Iniziamo da questo schema:
Per le V-Nand 32 strati, la struttura di ogni pacchetto (o chip), è realizzata (octal-die) da 8 gruppi da 64GB ciascuno. Ogni gruppo di celle (Die) ha la possibilità di comunicare con il processore (o controller).
C'è da dire che il controller MEX, per quanto sia a 3 Core (1 in più del controller MGX che si trova sulle versioni da 120-250 e 500GB), ha 8 canali - come la maggior parte dei controller attuali - e non è capace di gestirne in più. Questo vuol dire che l'EVO con V-Nand a 48 strati ha un pacchetto più denso ma sfrutta un pari numero di Die contemporaneamente. E' capace però di meno parallelismo di transito.
Altra caratteristica è che le due versioni di SSD hanno il medesimo overprovisioning di fabbrica.
Visto che ci sono chiarisco anche che rimane la medesima la quantità di celle emulate SLC per la Turbo Write del Rapid Mode, pari a 12GB.
Il confronto mette in evidenza due aspetti:
- come variano le prestazioni dell'SSD con pacchetti Nand più densi
- che effetti produce la densificazione
Il confronto visivo:
4 pacchetti per lato VS 2 pacchetti.. la disposizione del controller cambia lato (ma poco importa.. o si visto che il pcb è in legno...e il legno non dissipa).
Al via dei test.... emerge che nella sequenzialità (lettura e scrittura) i valori sono praticamente identici. Ciò vuol dire che le caratteristiche funzionali (qualità) delle Nand è identica. Ma c'era da aspettarselo.
Il test che può dare delle evidenze è invece quello che misura la latenza (la velocità tra imput di comando e comando eseguito) e il parallelismo (più comandi brevi dati pontemporaneamente a formare una "coda").
Latenza in scrittura
si evidenzia che la nuova 850 EVO (V-Nand 3.0) non è solo più veloce a rispondere alle scritture casuali IO rispetto alla precedente versione, ma batte anche la 850 PRO con un buon margine.
Latenza in lettura
Anche per la lettura IO, seppur in maniera molto minore, la latenza è a favore della nuova versione del 850 EVO specie con comandi brevi (4KB).
Parallelismo
Dimostrano che, pur essendo la latenza minore nel Samsung 850 EVO con V-Nand a 48 strati, all'aumento della coda in scrittura/lettura, le performance dettate dal controller, parificano il risultato.
Consumo energetico e temperatura
Il controller MEX consuma 1/3 di energia in più rispetto al MGX. La contiguità strutturale va a vantaggio del minor consumo delle nuove celle così come, al contrario, causa una maggiore temperatura dei chip.
Il dato però è cosi lieve che potrebbe avere un peso solo se l'SSD fosse messo veramente sotto torchio.
Conclusioni
Beh, niente di eclatante ma... per i pignoli che testano tutto per "vedere come funziona", allora, è chiaro: le nuove celle non tolgono nulla e anzi, aggiungono.
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