tirannosaurorex
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PREFAZIONE
Il trim viene usato solo sugli ssd di livello "base" mentre quelli enterprise usano sistemi diversi chiamati garbage collection che fanno la stessa cosa ma sono indipendenti dal sistema operativo e gestiti direttamente dal controller quando il disco è in idle.Nello spirito di condivisione che anima questo forumcercherò di spiegare la differenza che c' è tra il Background Garbage Collectionimplementato negli SSD Samsung già nel 2008 e il semplice Garbage Collection tutt' ora presente negli SSD Intel e filo-Intel che NON funziona a dovere e necessita della funzione di TRIM apportata via software da w7 la quale non funziona se gli SSD sono in configurazione RAID.
SPIEGAZIONE
Il TRIM è nato per rendere piu semplici ed economici i controller dei dischi :ok:
I modelli di fascia alta (enterprise), come ad esempio l'Intel X25-E hanno questa funzione autonoma, mentre i normali modelli mainstream come gli Intel X25-M, gli OCZ Agility e Vertex ecc necessitano comunque di una funzione di Trim per poter lavorare sempre ad alti livelli prestazionali :ok:
Implementare il TRIM o il Background Garbage Collection direttamente a bordo di su un SSD secondo me è cosa saggia e giusta e libera l' utilizzatore di SSD dalla schiavitù/dipendenza di Windows 7 un programma operativo ottimo che occupa qualcosa come 19 gb di spazio sull' hard disk di cui 18 gb sono pura monnezza inutile
Gli SSD non dovrebbero necessitare ne di TRIM ne di garbage collection e le prestazioni non dovrebbero degradare particolarmente con l'utilizzo. Ci si può avvicinare a questo con memorie SLC, che però sono più costose delle memorie MCL.
Quindi, volendo utilizzare memorie MCL, era importante trovare un rimediuccio.
Questo rimediuccio può essere il TRIM o il BGC. Il BGC viene utilizzato di solito negli ambiti in cui non è ancora possibile utilizzare il TRIM per esempio con unità in RAID o magari con unità NON SATA o se si utilizzano sistemi operativi che non supportano il TRIM.
Per cui ritengo che la strada migliore da seguire sia quella intrapresa da Samsung e Corsair cioè implementare la funzione di Background Garbage Collection che è la stessa identica cosa del TRIM direttamente a bordo dei propri SSD in modo da avere una funzione di "TRIM" negli ambiti in cui non è ancora possibile utilizzare il TRIM per esempio con unità in RAID o magari con unità NON SATA o se si utilizzano sistemi operativi che non supportano il TRIM.
Qui una spiegazione di Anandtech dove dice che il TRIM e il BCG sono la stessa identica cosa The SSD Relapse: Understanding and Choosing the Best SSD - AnandTech :: Your Source for Hardware Analysis and News
..... solo che il TRIM sta solo su Windows 7 mentre il BCG sta solo su dischi Samsung o Corsair e col BCG puoi fare a meno del TRIM e di windows 7 e il BCG funziona anche con dischi in RAID perchè sta sul disco e non sul programma operativo inoltre funziona anche con altri programmi operativi che non hanno la funzione TRIM e su pc che non hanno la connessione SATA
IMPORTANTE DA NON CONFONDERE
Il Background Garbage Collection è stato adottato solo da Samsung nei controller dei propri SSD già nel 2008 quando si sono resi conto che il semplice Garbage Collection non funzionava a dovere, mentre negli SSD filo-Intel è rimasto il semplice Garbage Collection chenon funziona da solo ma necessita della funzione TRIM implementata via software su Windows 7 che non funziona se gli SSD sono in configurazione RAID e non esiste su programmi operativi antecedenti a W7 e molto più leggeri che occupano meno risorse quindi non necessitano di più RAM e CPU più potenti.
Le NAND (celle di memoria) degli SSD Samsung sono prodotte con un processo produttivo tecnologicamente più avanzato a 30 nanometri rispetto a quello delle NAND degli SSD Intel e filo-Intel. Le NAND Samsung a 30 nanometri sono una realtà acquistabile nei negozi già adesso e da un bel po di mesi.
Intel ha annunciato che produrrà NAND a 25 nanometri
Samsung ha annunciato che produrrà NAND a 20 nanometri
Vorrei ricordare anche, che più scende la scala di nanometri, e più si riducono i cicli di scrittura :ok:
ALTRA COSA MOLTO IMPORTANTE
Le NAND (celle di memoria) degli SSD Samsung sono prodotte con un processo produttivo tecnologicamente più avanzato a 30 nanometri rispetto a quello delle NAND degli SSD Intel e filo-Intel. Le NAND Samsung a 30 nanometri sono una realtà acquistabile nei negozi già adesso e da un bel po di mesi.
Intel ha annunciato che produrrà NAND a 25 nanometri
Samsung ha annunciato che produrrà NAND a 20 nanometri
Vorrei ricordare anche, che più scende la scala di nanometri, e più si riducono i cicli di scrittura :ok:
