Guarda, ti faccio vedere dove stà l'incremento di velocità degli ultimi prodotti Samsung 840/850...
http://www.samsung.com/global/busin...nt/Samsung_SSD_850_EVO_Data_Sheet_rev_1_0.pdf
come dice chiaramente la scheda (vedi il ** al fondo di pag. 3), le prestazioni maggiori (si parla solo delle scritture)°, sono dovute all'artifizio della doppia cache su cella... ovvero - anche se alcuni lo sanno già meglio spiegare - le celle di questi SSD sono divise in due: una piccola porzione emula delle celle SLC (più veloci) e sono quelle che accolgono il bit, poi questo "con calma" viene riscritto sulle porzioni "normali" della cella, che sia MLC o TLC. Questo fa la differenza di prestazioni tra, ad esempio un OCZ ARC 100 ed un Samsung 850 EVO.
Ma giustamente tu hai letto che le SLC sono più veloci delle celle MLC che a loro volta lo sono più delle TLC... quindi un Samsung 850 PRO è più veloce di un 850 EVO... perchè?
Beh, consideriamo solo le celle poichè EVO e PRO avrebbero anche un processore differente e invece non consideriamo che le celle siano non planari, le celle TLC in generale sono delle celle prodotte non con due strati ma con tre. Ogni strato mantiene un segnale ma la lettura del gate è sempre unica...
Immaginate di avere uno di quei pezzi verdi del LEGO che fanno da base, mettiamo che sia il piano di una cella. I nostri occhi e le nostre mani sono il controller (la CPU del SSD). SLC vuol dire un solo piano verde su cui disporre i mattoncini rossi con le nostre mani (scrittura) e da leggerli in un colpo d'occhio (lettura).
MLC vuol dire che ho due piani verdi sovrapposti e che le mie mani devono sistemare i mattocini rossi 2 volte; TLC sarà che ho 3 piani verdi a cui, in ogni piano incastro i vari mattoncini rossi... più piani ho, quindi più tempo ci metto a sistemare i mattoncini e quindi il tempo di scrittura aumenta. In termini pseudotecnici (ricordate che io non lo sono, sono cose che ho letto) i TLC hanno una maggiore "latenza".
Fortunatamente quando guardo (lettura), il "colpo d'occhio" è per tutti uguale.
postilla °
le performance di lettura per un SSD dipendono da altri fattori che per fortuna possono essere attuati sia da Samsung, che da OCZ, Crucial ecc. La lettura da parte del controller avviene perchè i dati vengono distribuiti non sequenzialmente, ma come in un RAID 0... su piani di cella diversa, e su chip di SSD diversi...la parola d'ordine è "parallelismo". Ogni chip si differenzia dal punto di vista della struttura per il numero di comunicazioni parallele al suo interno; questi "pacchetti di celle" sono dette DIE. Ogni DIE gestisce una quantità di Gib.
I produttori di Nand sono pochi quindi si sono copiati tra loro nella tecnologia, ed il parallelismo è per tutti i recenti SSD praticamente uguale.
Servirebbe un cambio di tecnologia, cioè ciò che propone Samsung con le sue V-Nand ed i 32 piani sovrapposti.
Per concludere rispondendo alla tua domanda sul perchè un Samsung 850 EVO è più veloce di un OCZ ARC 100... il motivo è che ha l'emulazione SLC (TurboWrite technology), ed un struttura diversa delle celle V-Nand come detto da @
Anatra di Gomma.
@
Vizard ...questa è meglio dai della tua parabola della pompa no?!! :asd: