DOMANDA SSD SATA 1TB: Crucial MX500 o Samsung 870 EVO

Roberto99

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Ciao a tutti,
vorrei chiedervi se secondo voi è meglio optare per questo crucial o questo samsung data la cospicua differenza di prezzo

L'ssd dovrei montarlo sul mio portatile (uso principale per studi in università e qualche gioco) e non vorrei aver presto problemi con celle fuori uso o cose simili.
Sono sempre stato diffidente sugli ssd per questo, ma il mio hdd WD del laptop ha qualche problema: dal task manager risulta costantemente al 100% della velocità, gli avvii stanno diventando estenuatamente lunghi, senza contare continui impalamenti (secondo me causati dalla lentezza dell'hdd, dato che la RAM risulta al 50-60%, quindi per 8 GB direi accettabili)
 

crimescene

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sono entrambe ottime scelte al livello tecnico io preferisco il samsung,
Ma l MX500 è validissimo e come prestazioni al suo livello quindi come scegli scegli bene

il samsung è leggermente migliore come durevolezza quindi quei 10-15 euro in più secondo me sono spesi bene, ma ripeto anche l'mx 500 è un ottima scelta alla fine.

il Samsung generalmente è costruito un pachino meglio consente più scritture anche se la durevolezza in genere non è oggi più un problema ed un leggero vantaggio al livello di velocità di scrittura (di poco)

per 10-15 euro di differenza per me samsung
 
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Ciao.
Crimescene ha pienamente ragione: entrambi sono dei validissimi e ottimi SSD, che al giorno d'oggi rappresentano la fascia alta degli SSD SATA, solamente che si può posizionare il Samsung qualche gradino in più per l'affidabilità - intesa come durata - migliore (dovuta dalle celle NAND Flash di qualità superiori) e anche come qualità generale (componenti - controller migliore, appunto celle NAND Flash migliori e anche la DRAM cache che è DDR4 contro una DDR3).

Vale quindi la pena spendere quei 17 euro in più per il Samsung? Secondo me no. Un conto se stessimo parlando di che ne so, 5 euro, ma stiamo parlando di quasi 20 euro, alla fine l'MX500 è un disco eccellente, di certo non ti dura pochi mesi (evitando di portare sfortune)...
 

BAT

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non vorrei aver presto problemi con celle fuori uso o cose simili.
per me Samsung 870, li vale tutti i 15€ in più che costa
@Roberto99
come vedi abbiamo opinioni differente ma questo non ti deve stupire. in realtà entrambi sono 2 ottime unità SSD;
io preferisco Samsung perché la durata delle celle di memoria flash è leggendaria, ho letto di un test fatto su un Samsung 860 EVO (la versione precedente all'870) dove l'unità continua a funzionare tranquillamente dopo aver superato di quasi 10 volte la durata (teorica) garantita dal cosiddetto TBW
 

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durata (teorica) garantita dal cosiddetto TBW
Non proprio "durata (teorica)" ma garanzia in scritture. Il TBW rappresenta quello, e a volte è in byte totali al posto di terabyte totali, infatti è un valore arbitrario. ;)
 

BAT

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infatti è un valore arbitrario
non tanto arbitrario, le certificazioni di scrittura seguono standard industriali, rimane il fatto che superare quel limite (che chiamo teorico, perché le unità si possono guastare ben prima) di 10 volte è un dato impressionante. E le versioni Pro (che costano un sacco di più) fanno molto meglio. Invece pare che, come celle, l'ultimo 980 Pro sia meno buono del 970 Plus... bah!
 

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le certificazioni di scrittura seguono standard industriali
Da quel che so in realtà ogni azienda la calcola a sé, lo dimostra anche il fatto che alcune aziende usino i byte totali come TBW (Kingston, per esempio) e altre i terabyte totali (WD, per esempio).
rimane il fatto che superare quel limite (che chiamo teorico, perché le unità si possono guastare ben prima) di 10 volte è un dato impressionante.
Sicuramente, ma anche perché come già detto quella è la garanzia di scritture dell'SSD, non la durata teorica. Non può rappresentare in nessun modo la durata, anche perché mancano troppi fattori che la influenzano: WAF (write amplification factor), attivazione del GC (garbage collection), temperature (controller e NAND Flash), ecc.
Invece pare che, come celle, l'ultimo 980 Pro sia meno buono del 970 Plus... bah!
Purtroppo sì, sono TLC contro MLC. Anche se c'è da dire che le TLC sono molto più recenti e veloci (128L contro 64L - ormai le MLC non sono più in produzione, sta scomparendo pian pian il mondo basato su NAND Flash MLC, e a sé ovviamente si porta anche gli SSD), che ora per altro sembrano usate in alcune versioni del 970 EVO Plus.
 

Liupen

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Hai ragione Black, i TBW sono un valore dato dal singolo produttore e a scopo indicativo. Non c'è una normativa o un qualcosa Jedec che possa codificare.
In effetti BAT è stato travisato completamente il senso per cui il produttore indicava TBW.
Le testate invece di dire che la casa produttrice oltre agli anni imponeva un limite di scrittura per fissare la garanzia del prodotto (vuoi per evitare che venisse usato in maniera impropria dai gestori di cloud, server ...ora penseremmo al mining), hanno preso il dato come un indicatore della bontà del prodotto; generalizzando.
E li i produttori hanno approfittato e approfittano per farne un dato commerciale.

pare che, come celle, l'ultimo 980 Pro sia meno buono del 970 Plus... bah!
Confronti il 980 PRO con il 970 EVO Plus o il 980 PRO con il 970 PRO?
Perchè solo l'ultimo ha celle MLC che possono definirsi buone (velocità sostenuta e durata).

Le celle del 980 PRO sono le TLC di 6a (1xx layer) generazione di Samsung. Sono più veloci delle TLC della precedente generazione. Lo devono essere per rendere su PCIe 4.0
Siamo intorno ai 1.400/1600 MTps contro i ca 1200 MTps della precedente.
Purtroppo (per Samsung), non sono più le migliori celle multilayer TLC perchè hanno un disegno che le rende più costose e meno dense di quelle Micron o Kioxia.
 
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Purtroppo (per Samsung), non sono più le migliori celle multilayer TLC perchè hanno un disegno che le rende più costose e meno dense di quelle Micron o Kioxia.
Non tanto per Micron, ora le B37R in su (128L in su, quindi) usano la stessa architettura, quindi replacement gate (RG) su TCAT. Come dici tu è più costosa e porta alcuni svantaggi in termini di densità dei bit (anche se quest'ultimi in questo caso ci sono più per la scelta di Samsung di non usare design multi-stack - più layer "impilati" tra di loro - e COP (Cell Over Periphery)), anche perché non viene lavorato sullo stesso transistor delle memorie a floating gate (FG) e charge trap flash (CTF) (teoricamente), ma d'altro canto assicura un'affidabilità ottima, la migliore, anche per i mezzi di incisione che essa richiede. Ed è per questo che Samsung ha sempre avuto un certo dominio sulle NAND, appunto perché oggettivamente sono le migliori come affidabilità.

Siamo intorno ai 1.400/1600 MTps contro i ca 1200 MTps della precedente.
L'I/O delle 128L è da 1.2 Gb/s, non 1.4/1.6 Gb/s. Quello della settima generazione (17xL) è invece da 2.0 Gb/s. Che poi è un po' una cosa che lascia desiderare visto che ci sono NAND con lo stesso I/O (per esempio le Samsung 32, 48 e 64L sono tutte da 1 Gb/s) ma con velocità in MB/s per die ben diverse, infatti viene più usata questo come mezzo per definire la velocità per die di una NAND che il suo I/O espresso in Gb/s o MT/s (o MTps). Per esempio, le 128L di Samsung da 512Gb hanno una velocità di 82 MB/s, mentre le 128L di Kioxia (BiCS5) sempre da 512Gb sono da 132 MB/s, infatti più veloci, anche se hanno un I/O più lento (1066 MT/s, ma alla fine è una cosa che dipende anche dalla velocità dei canali del controller sull'SSD finale).
 

BAT

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Confronti il 980 PRO con il 970 EVO Plus o il 980 PRO con il 970 PRO?
adesso che mi ci fai pensare non ricordo, lo lessi su un articolo di PC Professionale, probabilmente confondo le 2 sigle; quello che ricordo è che l'articolo diceva che, al contrario di quanto successo nel passato, il TBW risultava dimezzato rispetto all'analogo modello di generazione precedente, a questo punto devo supporre che fosse il 970 Pro. Della velocità superiore delle celle lo sapevo ma la cosa sulla resistenza mi indispettì non poco perché ho idea che abbaino chiamato 980 Pro qualcosa che avrebbe dovuto chiamarsi 980 EVO ulteriore furbata insomma.
Non solo sugli SSD ma su tutto l'HW è stra-abusato il suffisso PRO, a scopo ingannatorio, perché il PRO dovrebbe richiamare alla mente caratteristiche PROfessionali, quando di professionale non c'è un ciufolo, se non il prezzo in più che bisogna pagare per l'hardware
 

Liupen

SSD MAN
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adesso che mi ci fai pensare non ricordo, lo lessi su un articolo di PC Professionale, probabilmente confondo le 2 sigle; quello che ricordo è che l'articolo diceva che, al contrario di quanto successo nel passato, il TBW risultava dimezzato rispetto all'analogo modello di generazione precedente, a questo punto devo supporre che fosse il 970 Pro. Della velocità superiore delle celle lo sapevo ma la cosa sulla resistenza mi indispettì non poco perché ho idea che abbaino chiamato 980 Pro qualcosa che avrebbe dovuto chiamarsi 980 EVO ulteriore furbata insomma.
Non solo sugli SSD ma su tutto l'HW è stra-abusato il suffisso PRO, a scopo ingannatorio, perché il PRO dovrebbe richiamare alla mente caratteristiche PROfessionali, quando di professionale non c'è un ciufolo, se non il prezzo in più che bisogna pagare per l'hardware

Sicuramente BAT, si parlava del confronto tra Samsung PRO di generazioni differenti 👍.

Le celle MLC del PRO (quelle che hanno scritto mila petabyte nel famoso test) erano proprio il top dell’SSD adatto agli usi assidui di scrittura/professionali. L’unica cosa certa e testata, è proprio che le celle TLC hanno durata inferiore a quelle MLC, “rischiando” poi di vedere un SSD per questi usi, bloccarsi veramente causa usura. TBW definiti da Samsung di conseguenza sono rapportati a questa differenza di celle buone/meno buone.

Si, ha indispettito o meglio deluso anche me e tutti i recensori che scrissero quando uscì il prodotto.

Ora, 2021, è chiaro il motivo di Samsung. La produzione si stava muovendo verso le QLC e figurarsi le celle MLC saranno stati già all’epoca solo a magazzino. Quindi sarebbe mancata la continuità di produzione per il Samsung 980 PRO con celle MLC.

Segno dei tempi! Mentre scrivo, la produzione si è già spostata da 1 anno su celle QLC a 1xx layer con densità impensabili (m.2 consumer con 16 TB on board). I Samsung 990 PRO del 2022 ;)

Non tanto per Micron, ora le B37R in su (128L in su, quindi) usano la stessa architettura, quindi replacement gate (RG) su TCAT. Come dici tu è più costosa e porta alcuni svantaggi in termini di densità dei bit (anche se quest'ultimi in questo caso ci sono più per la scelta di Samsung di non usare design multi-stack - più layer "impilati" tra di loro - e COP (Cell Over Periphery)), anche perché non viene lavorato sullo stesso transistor delle memorie a floating gate (FG) e charge trap flash (CTF) (teoricamente), ma d'altro canto assicura un'affidabilità ottima, la migliore, anche per i mezzi di incisione che essa richiede. Ed è per questo che Samsung ha sempre avuto un certo dominio sulle NAND, appunto perché oggettivamente sono le migliori come affidabilità.

Black che pasticcio di termini…

Se dico: Samsung ha perso la leadership delle celle TLC a favore di Micron perché il disegno è superato, non mi puoi rispondere: non è vero per Micron che usano la stessa architettura, sciorinando poi un elenco di termini da manuale delle nand fuori dal contesto, chiudendo che le celle Samsung sono le migliori come affidabilità.

Cosa centra l’affidabilità se parlo di costi o prestazioni?

Cosa rende più affidabile per te una cella Samsung rispetto ad una di un competitor?

Le celle del Samsung 970 PRO dai petabyte non sono più quelle; studi che dimostrano l’affidabilità di una cella su un'altra non ce ne sono (anche perché troppo recenti di produzione). Io non ho neanche sentito di marche di SSD le cui celle sono buggate e per questo i prodotti ritirati dal mercato.

Quindi mi sembra proprio solo una tua idea. Le celle sono buone tutte. La “bontà” è un discorso da fare solo confrontando; MLC vs TLC vs QLC.


Facciamo un po di chiarezza sui termini che hai scritto.

Floating gate (FG) non le fanno più da un po’, dai tempi, per Micron, della partnership con Intel 64 layer (tecnologia ormai superata da tutti) ma sembra che Micron ne abbia ancora in magazzino e sono servite ancora per le sue 128 layer.

Replacement gate (RG), come citi all’inizio, è per le NAND 176 layer Micron, non per le 128 layer.

Tutti hanno celle Charge Trap (CTF).

La differenza è nella struttura da cui dal silicio si ricava la cella e i materiali usati per creare il tunnel e gate in cui vengono intrappolati gli elettroni del semiconduttore. Differisce dalla tecnologia a gate flottante convenzionale in quanto utilizza un film di nitruro di silicio per immagazzinare elettroni anziché il silicio policristallino. Una cosa un po più efficiente e meno costosa. stop. [cit. Wikipedia]

1632533266929.png






Invece per quanto riguarda il discorso di economia che ho accennato prima rispetto alle celle Samsung:

Le celle Micron 128 layer sono proprio quelle confrontabili con le V6 (sedici die da 512 Gb per i modelli di SSD più capienti) di Samsung.

I pacchetti NAND Samsung V6 sono composti da 2 stack - (stack - trattasi del pacchetto base della NAND 3D, naturalmente visto quanto scritto sopra, è costituito da 32 die da 512 GB) - perché nascono da una tecnologia più vecchia (quella che faceva detenere a Samsung il primato di densità delle TLC sui competitor).

In parole povere prendi 2 chip 9x layer, li sovrapponi, per crearne uno di dimensione (densità) di 1xx layer (spiegazione sintetica).

Le NAND BICs Toshiba, SK Hynix e Micron nuove (ognuno con le proprie caratteristiche, che se vuoi possiamo approfondire, ma che alcune sono simili/uguali) sono progettate diversamente da quelle Samsung (essendo venute dopo e avendo conosciuto il know out di Samsung). Sono a litografia minore e gli stack possono arrivare a densità molto maggiori (cioè ogni pacchetto può contenere nell’unità di area più memoria -> GB).

Ne discendono due cose. La prima è che per ogni chip prodotto dai competitor di Samsung il costo del materiale è maggiore, MA (due), essendo i chip dei competitor di Samsung più densi (cioè ogni pacchetto porta più TB), ne servono meno su un SSD per raggiugere quel tot di TB e quindi l’SSD costerà meno. Il risultato è/sarà per SSD >2TB che Samsung deve riprogettare a breve le proprie NAND per stare sul mercato.
E questo è un fatto.


Poi se vuoi parliamo delle differenze tecniche che citi: COP vs altre.

Facciamo un disegnino che magari è più esplicativo a beneficio di chi legge e si vorrebbe interessare dell’argomento.

La V6 Samsung è una vertical-channel 3D charge trap (CTF). Anzi è stata la prima a produrre in massa questo tipo di 3D NAND.

Come detto è realizzata da 2 stack sovrapposti (hanno disponibile la produzione base TLC 96 layer…la usano).

Il disegno dello stack (lascio fuori i termini tecnici ulteriori), hanno word-line e control gate in una parte laterale all’incisione delle die. Ok, non sono stato di parola: la cella FGMOSFET è realizzata per stampo dal silicio o die, con 2 circuiti a bassissima tensione che permettono di scrivere/leggere/cancellare la cella stessa…un apparato di controllo in comunicazione poi con il controller (semplifico, non me ne vogliano gli esperti dell’argomento).

Nelle celle Samsung questo apparato è realizzato tecnicamente a fianco dello stampo, quindi si vedrà una cosa del genere: in blu la porzione di stack con le celle in arancione l’apparato di controllo.

1632533317908.png


Ora, competitor Samsung, che hanno avuto modo di lavorare meglio negli ultimi anni (SK hynix e Micron), pur iniziando col presentare un design a quattro piani, che raddoppiano il parallelismo, (ma aggiungendo appunto ogni volta quel al circuito periferico, che a sua volta occupa prezioso spazio sul die), hanno inventato un disegno diverso, per rendere più dense e modulari gli stack.

Si tratta della tecnologia CMOS Under Array (CUA) o Periphery Under Cell (PUC).

Come detto Micron a differenza di Samsung e SKh utilizza ancora per questa generazione di NAND, il Floating gate (FG).
Le celle CTF però tendono ad essere più piccole rispetto alle celle a gate flottante e il design complessivo offre una migliore capacità di ridimensionamento all'aumentare del numero di strati.
Perché Micron usa ancora una tecnologia obsoleta? Perché ne ha prodotta molto in passato e deve smaltirla.


Vediamo quindi la differenza tra il chip Samsung e quello dei competitor.

SK hynix pubblicizza la propria memoria come TLC 128 L 4D, Micron rimane sul “tradizionale” TLC 3D.
Vado a prendere le parole di Sean Webster della redazione di Tom’s Hardware USA

“Tradizionalmente, la logica dei circuiti periferici si trova ai margini dell'array di celle NAND, occupando potenzialmente fino al 40% dello spazio del die e limitando così la scalabilità. Spostando la logica sotto l'array, i produttori possono ottenere progetti di livello superiore mantenendo un'elevata efficienza dell'array. Il concetto di posizionare i circuiti periferici sotto le celle di memoria (PuC) non è nuovo. Di fatto, questa tecnologia è attualmente implementata su flash NAND di Intel e Micron sotto forma di tecnologia CMOS under Array (CuA).”

1632533358086.png


Quindi abbiamo lo spostamento dell’apparato di controllo sotto e ne viene:
1) la produzione più economica del singolo stack
2) la programmazione è più semplice e veloce (e meno energivora)
3) gli stack essendo più sottili possono essere in numero maggiore (più piani = più memoria per unità di superficie)

Si può aggiungere che le celle a 128 L di SK hynix sono “migliori” di quelle a 128 L di Micron, poiché queste di tipo FG sono più grandi… quindi meno dense, meno veloci, più energivore, e… più costose.

Giusto come dicevi nel tuo intervento Black, ma contestualizzato qui con le celle di pari livello SKH e non quelle Samsung che in sintesi: costano di più produrle perché ce ne vanno di più per ottenere i GB o TB dei competitor. Ma il discorso è più ampio perché investe anche lo spreco, infatti:

128 L = 2x 64 L è meglio di 136 L = 2x 96 L + inattive




Il futuro… per esempio per Micron con la NAND 176 layer è stato ottenuto rivedendo completamente la struttura di un FGMOSFET (cella 3D). Niente più separazione tra le singole celle: il gate di controllo le avvolge, risparmiando corrente e dialogando con le celle molto più velocemente.

Quindi la differenza non è come prima nella disposizione dell’apparato di controllo, ma proprio in come viene stampata la die; si introduce un gate di "sostituzione" (RG), che utilizza linee metalliche altamente conduttive invece di uno strato di silicio
Mi devo avvalere di un disegno già fatto



bf48af_RG_FG_Diagram.PNG

“Il gate di controllo stesso, invece di essere in polisilicio è in metallo, il che riduce la resistenza elettrica e consente l’utilizzo di algoritmi di lettura e scrittura semplificati, che consentono alla 3D NAND da 176 strati di scrivere, leggere e cancellare fino a due volte più velocemente di un’attuale 3D NAND.
La nuova architettura permette inoltre di ottenere una dimensione dello stampo inferiore di circa il 30% rispetto alle migliori offerte del settore.”.


Si tratta del chip di memoria più denso realizzato, ovvero M.2 vendibili a prezzi di produzione più bassi e a capienza più alti… ovazione per Micron!

Insomma, motivo in più per Samsung per aggiornarsi e riempire il gap, invece di dormire sui (meritati) allori di questi ultimi 3 anni.

Facendo il disegnino anche di questi chip di memoria avremo questo.

1632533482198.png

La preoccupazione di Samsung era di poter mantenere una produzione di alta qualità e ottenere buoni rendimenti senza il rischio di disallineamenti dei fori dei canali dello stack.
In questa nuova tipologia di chip lo stack può raggiungere da solo le densità precedenti senza eventuali problemi tecnici.


Ecco quindi una panoramica pseudo-tecnica delle tecnologie attuali delle NAND e di quelle che si affacciano sul panorama commerciale del prossimo futuro.


L'I/O delle 128L è da 1.2 Gb/s, non 1.4/1.6 Gb/s. Quello della settima generazione (17xL) è invece da 2.0 Gb/s. Che poi è un po' una cosa che lascia desiderare visto che ci sono NAND con lo stesso I/O (per esempio le Samsung 32, 48 e 64L sono tutte da 1 Gb/s) ma con velocità in MB/s per die ben diverse, infatti viene più usata questo come mezzo per definire la velocità per die di una NAND che il suo I/O espresso in Gb/s o MT/s (o MTps). Per esempio, le 128L di Samsung da 512Gb hanno una velocità di 82 MB/s, mentre le 128L di Kioxia (BiCS5) sempre da 512Gb sono da 132 MB/s, infatti più veloci, anche se hanno un I/O più lento (1066 MT/s, ma alla fine è una cosa che dipende anche dalla velocità dei canali del controller sull'SSD finale).

Io leggo sul datasheet che le 96L – 128L raggiungono una velocità di interfaccia di 1200 MTps, mentre i 176L possono ora raggiungere velocità di 1.600 MTps tramite l'interfaccia ONFI (per Micron. Idem Kioxia che dalle recensioni (anche di Tom’s Hardware) cita in proposito.

https://www.tomshardware.com/news/micron-now-shipping-176-layer-3d-tlc-nand-flash

La Samsung V6 è una 136L (96L ca 650 MTps x2)

Con MTps si intende la velocità dell’interfaccia a processare operazioni, e non GBps.
 
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Cosa centra l’affidabilità se parlo di costi o prestazioni?
Avevo frainteso evidentemente, pensavo che intendessi quello. Allora sì, son d'accordo, appunto costi anche per l'architettura e prestazioni perché sì, dai documenti si dimostra che le NAND attuali di Samsung tendono ad avere una velocità (non parlo dell'interleaving - quindi MT/s - ma quelli in MB/s per die) inferiore rispetto a quelle Micron, SK Hynix e Kioxia (ovviamente a pari generazione - layer - io parlo). Ti chiedo scusa per il fraintendimento.
Cosa rende più affidabile per te una cella Samsung rispetto ad una di un competitor?
L'architettura interna, che è appunto basata su CTF, ma più nello specifico è replacement gate su TCAT.
Quindi mi sembra proprio solo una tua idea. Le celle sono buone tutte.
Quello che dico è che per via dell'architettura interna ci sono celle più affidabili e altre di meno, e ovviamente si parla anche di PEC. Per fare un esempio, si sa che le Kioxia BiCS tendono ad essere meno durature delle NAND che usano l'architettura FG (come quelle Micron fino alle 96L e quelle attuali Intel - le QLC 144L di adesso lo sono ancora) perché con l'architettura FG hai l'isolazione della cella (che riduce la migrazione degli elettroni) con lo strato che funge da scudo EM (elettromagnetico). Ci sono anche degli svantaggi nell'usare FG, però di certo non ci sono dalla parte dell'affidabilità, per esempio tende ad essere più lento, meno scalabile (perché la pila 3D è più grande per via del floating gate), la cella tende ad avere una maggior dimensione, ecc..
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Floating gate (FG) non le fanno più da un po’, dai tempi, per Micron, della partnership con Intel 64 layer (tecnologia ormai superata da tutti) ma sembra che Micron ne abbia ancora in magazzino e sono servite ancora per le sue 128 layer.

Replacement gate (RG), come citi all’inizio, è per le NAND 176 layer Micron, non per le 128 layer.

Tutti hanno celle Charge Trap (CTF).
Micron ha utilizzato l'architettura floating gate fino alle 96L, quindi le B27A e B27B. Stessa cosa per le QLC. Intel tutt'ora le utilizza, infatti le loro QLC 144L sono floating gate, anche se sta vendendo le NAND a SK Hynix per 9 miliardi.

Replacement gate è un tipo di CTF, e Micron invece sì che lo usa anche con le 128L (B37R), che ci sono per esempio sul nuovo BX500. Citando un articolo riguardo alle B47R (176L) fatto da Jeongdong Choe (analista di NAND Flash e DRAM per TechInsights) per Semiconductor Engineering: "The 176L 3D NAND is the 2nd generation CTF structure for Micron (figure 2).; They keep double stack architecture, replacement-gate process, charger trap nitride (CTN), and CMOS-under-Array (CuA) techniques.".
ognuno con le proprie caratteristiche, che se vuoi possiamo approfondire, ma che alcune sono simili/uguali
Le conosco. Kioxia rimane su BiCS che è basata su CTF, SK Hynix si basa su P-BiCS (che a sua volta si basa - ed è migliore in affidabilità - su BiCS) con DP-BiCS e Micron ora la stessa di Samsung, che come detto prima, è replacement gate su TCAT.
Io leggo sul datasheet che le 96L – 128L raggiungono una velocità di interfaccia di 1200 MTps, mentre i 176L possono ora raggiungere velocità di 1.600 MTps tramite l'interfaccia ONFI (per Micron. Idem Kioxia che dalle recensioni (anche di Tom’s Hardware) cita in proposito.
Giusto, ma io parlavo delle NAND Samsung, le quali loro 176L raggiungono i 2 Gb/s, mentre le loro 128L 1.2 Gb/s da come si può leggere sui documenti ISSCC di Samsung.

Con tutto il resto sono d'accordo, infatti già le sapevo le maggior parte delle cose, studiando da libri e documenti. Ti chiedo perdono se ho fatto un po' di casino all'inizio, sono semplicemente un ragazzino che vuole condividere in un forum la propria passione per lo storage, mi capita spesso di usare termini impropri senza approfondire o fare dei casini grammaticalmente che alla fine tende l'utente a non capire niente ("l'utente" in questo caso saresti tu, con questa discussione).
 
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L'architettura interna, che è appunto basata su CTF, ma più nello specifico è replacement gate su TCAT.

La V6 Samsung è una vertical-channel 3D, charge trap (CTF) come quelle SK hynix e Kioxia.

La struttura TCAT (Terabit Cell Array Transistor) è il tipo di cella prodotto da anni da Samsung;
come dire la base unica, la dima o piattaforma dell’auto comune, come possono avere ad esempio Prius e CHR di Toyota.
Insomma commercialmente CTF TCAT (corretto) è la V-Nand come per gli altri è, nella tecnologia peculiare usata, detta 3D Nand (V-Nand stà a Samsung come BiCS stà a Kioxia e ONFi stà a Micron/Intel). Sappi che le cosiddette BiCS utilizzano, pur con diversi brevetti, gli stessi componenti.
Rientrano nella famiglia delle Toggle NAND per la disposizione delle strutture e dei materiali. Che Toggle sia stata migliore di ONFI non c’è dubbio ma …in tempi passati.

Quindi in questo step le tecnologie si parificano. Ora più che mai anche quelle di Micron con le B37R.

Tu dici che sia replacement gate a farne celle migliori.. no, affidabili?

No, il “gate sostitutivo” (RG) è una tecnologia in uso da tempo non solo per Samsung.

Tutte le tecnologie a gate flottante e a trappola di carica sopra una certa soglia hanno dovuto usare un rivestimento ulteriore in diverso materiale per consolidare la parte restante dopo lo stampo dei fori (delle singole die) e creare dei gate (che sono sul perimetro del singolo foro) in modo da aumentare l’efficienza (Samsung utilizza il gate ad alto k di allumina).

Infatti guarda come viene descritta la Nand Micron a 176 L:

Come detto nel precedente mio intervento proprio Micron fa del RC una cosa più efficiente cambiando il polisilicio in un metallo.

Mi sono un po perso in parole, ma è per raccontarti che la tecnologia RC anche se è stata una introduzione di Samsung è ora comunemente usata; non è una cosa propria di Samsung da un po quindi le celle non si possono dire più affidabili per questo.

Gli scritti che hai letto sono probabilmente più vecchi di un anno e mezzo.

Quello che dico è che per via dell'architettura interna ci sono celle più affidabili e altre di meno, e ovviamente si parla anche di PEC. Per fare un esempio, si sa che le Kioxia BiCS tendono ad essere meno durature delle NAND che usano l'architettura FG (come quelle Micron fino alle 96L e quelle attuali Intel - le QLC 144L di adesso lo sono ancora) perché con l'architettura FG hai l'isolazione della cella (che riduce la migrazione degli elettroni) con lo strato che funge da scudo EM (elettromagnetico). Ci sono anche degli svantaggi nell'usare FG, però di certo non ci sono dalla parte dell'affidabilità, per esempio tende ad essere più lento, meno scalabile (perché la pila 3D è più grande per via del floating gate), la cella tende ad avere una maggior dimensione, ecc..
No, dico, segui il ragionamento: le BiCS sono CTF cioè a trappola di carica e dici che sono meno durature delle NAND FG a gate flottante di Micron/Intel.

Ma anche le Samsung in questione sono CTF, quindi meno durature?

Meno durature o affidabili?

Micron ha utilizzato l'architettura floating gate fino alle 96L, quindi le B27A e B27B. Stessa cosa per le QLC. Intel tutt'ora le utilizza, infatti le loro QLC 144L sono floating gate, anche se sta vendendo le NAND a SK Hynix per 9 miliardi.

Replacement gate è un tipo di CTF, e Micron invece sì che lo usa anche con le 128L (B37R), che ci sono per esempio sul nuovo BX500. Citando un articolo riguardo alle B47R (176L) fatto da Jeongdong Choe (analista di NAND Flash e DRAM per TechInsights) per Semiconductor Engineering: "The 176L 3D NAND is the 2nd generation CTF structure for Micron (figure 2).; They keep double stack architecture, replacement-gate process, charger trap nitride (CTN), and CMOS-under-Array (CuA) techniques.".
La Micron 128 L = 2 stack da 64 L (FG) floating gate, delle QLC non mi importa non ne stavo parlando, e che il comparto NAND di Intel sia stato venduto a SK Hynix, ok, ma che mi rappresenta?

Ordine:

CTF è il modo in cui viene strutturata la die (lo stampo) per accogliere gli elementi che trattengono e fanno fluire gli elettroni del substrato, ed è alternativo (e migliore perché permette di fare celle più dense) del FG gate flottante (modello base cella).

Diciamo che è: “struttura”

[cit.
]

Replacement gate (RG) NON è un tipo di CTF ma viene usato (anche su Floating gate) da un po sugli stack di una certa altezza e consiste nell’usare un materiale migliore per realizzare il gate.

Questo è: “materiale”


Con tutto il resto sono d'accordo, infatti già le sapevo le maggior parte delle cose, studiando da libri e documenti. Ti chiedo perdono se ho fatto un po' di casino all'inizio, sono semplicemente un ragazzino che vuole condividere in un forum la propria passione per lo storage, mi capita spesso di usare termini impropri senza approfondire o fare dei casini grammaticalmente che alla fine tende l'utente a non capire niente ("l'utente" in questo caso saresti tu, con questa discussione).
Scusa allora l'irruenza. Prendilo come stimolo a fare meglio.
Non è grammatica ne che non sai le cose. Diciamo che vorrei meno copia-incolla e più spiegazioni semplici per l’utente che non capisce niente che in questo caso sarei io [cit. Black]
Dai Black, e che leggo cose che formano un’accozzaglia senza senso e un senso volevo darlo…

Sono stato abbastanza Kazzenger?
 
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Mi sono un po perso in parole, ma è per raccontarti che la tecnologia RC anche se è stata una introduzione di Samsung è ora comunemente usata; non è una cosa propria di Samsung da un po quindi le celle non si possono dire più affidabili per questo.
A questo punto mi sa che ho sbagliato io. Con "affidabili" intendo che siano più durature, come PEC (P/E cycles) non come che ne so, la probabilità che si perdano i dati a caso (è un esempio fatto a casissimo). Ho letto più volte - maggiormente sul Reddit di NewMaxx - che l'architettura di Samsung delle sue NAND Flash permette di avere una durata maggiore delle altre, anche se ovviamente dipende sempre dalla generazione (64L, 96L, ecc.) e dal tipo (TLC, QLC, ecc.).
Ma anche le Samsung in questione sono CTF, quindi meno durature?
No ma perché alla fine ci sono delle differenze tra le BiCS di Kioxia e le V-NAND di Samsung, anche se entrambe si basano su CTF. Io mi baso più sulla teoria delle NAND, perché i datasheet si "restringono" sempre di più come durata pian piano (intesa come cicli PEC, anche se alla fine il numero di quest'ultimi sono recuperabili in presentazioni di FMS, analisi di TechInsights e altro da quel che so. Per esempio VLO è molto utile per saperlo, specifica i PEC a volte). Che poi (per aggiungere), a quanto pare, i cicli PEC dell'SSD totale a quanto pare non dipendono solo dalle NAND in sé ma per esempio anche dal tipo di cache SLC usato. Per fare un esempio, un SSD che usa un design di cache SLC statico invece di dinamico permette di aumentare i cicli PEC delle NAND (penso più "virtualmente" che "realmente", anche se effettivamente succede), dipende dalle NAND, ma in alcuni casi anche fino a 30-35K. Mentre il design dinamico non aumenta per niente, anzi, il contrario, ma non riduce i PEC ma la durata del dispositivo aumentando il WAF (write amplification factor).
La Micron 128 L = 2 stack da 64 L (FG) floating gate
Giusto, ma allora perché tutti dicono che sono CTF e non FG? Anche Micron mi pare che l'abbia detto alla presentazione, ma anche nelle analisi di TechInsights si dice CTF e non FG. Magari è proprio come dici tu, cioè che in magazzino abbiano delle 128L FG, ma mi sembra un po' troppo strana come cosa, perché nessuno se ne è accorto (tranne te) - o almeno, io non ho letto niente a riguardo.
delle QLC non mi importa non ne stavo parlando, e che il comparto NAND di Intel sia stato venduto a SK Hynix, ok, ma che mi rappresenta?
Avevo intenso che con: "della partnership con Intel 64 layer" Intel non producesse più Micron, ma mi sbaglio evidentemente, chiedo ancora scusa.
che in questo caso sarei io [cit. Black]
Ma no, che hai capito hahaha, intendevo: "mi capita spesso di usare termini impropri senza approfondire o fare dei casini grammaticalmente. Per esempio è successo adesso con te, in questa discussione."
 

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